2SB1481(TOJS,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SB1481(TOJS,Q,M) | 2SB1481(TOJS,Q,M) Inventory, Best Pricing

2SB1481(TOJS,Q,M)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SB1481(TOJS,Q,M)
LIXINC Part #	2SB1481(TOJS,Q,M)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	TRANS PNP 4A 100V TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SB1481(TOJS,Q,M) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SB1481(TOJS,Q,M) Specyfikacje

Numer części:	2SB1481(TOJS,Q,M)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ tranzystora:	PNP
prąd - kolektor (ic) (max):	4 A
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	100 V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	1.5V @ 6mA, 3A
prąd - odcięcie kolektora (max):	2µA (ICBO)
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	2000 @ 3A, 2V
moc - maks:	2 W
częstotliwość - przejście:	-
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220NIS