2SA965-Y,T6F(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA965-Y,T6F(J

2SA965-Y,T6F(J

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2SA965-Y,T6F(J
LIXINC Part #	2SA965-Y,T6F(J
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Opis	TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2SA965-Y,T6F(J Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 11 - Oct 15 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2SA965-Y,T6F(J Specyfikacje

Numer części:	2SA965-Y,T6F(J
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ tranzystora:	PNP
prąd - kolektor (ic) (max):	800 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	120 V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	1V @ 50mA, 500mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 100mA, 5V
moc - maks:	900 mW
częstotliwość - przejście:	120MHz
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
pakiet urządzeń dostawcy:	LSTM