IS61NLP25636B-200B3LI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61NLP25636B-200B3LI | IS61NLP25636B-200B3LI Inventory, Best Pricing

IS61NLP25636B-200B3LI

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IS61NLP25636B-200B3LI
LIXINC Part #	IS61NLP25636B-200B3LI
Producent	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IS61NLP25636B-200B3LI Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 27 - Oct 31 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IS61NLP25636B-200B3LI Specyfikacje

Numer części:	IS61NLP25636B-200B3LI
Marka:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	SRAM
technologia:	SRAM - Synchronous, SDR
rozmiar pamięci:	9Mb (256K x 36)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	200 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	3.1 ns
napięcie zasilające:	3.135V ~ 3.465V
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	165-TBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	165-TFBGA (13x15)