IS43DR86400E-3DBLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS43DR86400E-3DBLI | IS43DR86400E-3DBLI Inventory, Best Pricing

IS43DR86400E-3DBLI

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IS43DR86400E-3DBLI
LIXINC Part #	IS43DR86400E-3DBLI
Producent	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IS43DR86400E-3DBLI Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IS43DR86400E-3DBLI Specyfikacje

Numer części:	IS43DR86400E-3DBLI
Marka:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	DRAM
technologia:	SDRAM - DDR2
rozmiar pamięci:	512Mb (64M x 8)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	333 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	15ns
czas dostępu:	450 ns
napięcie zasilające:	1.7V ~ 1.9V
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	60-TFBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	60-TWBGA (8x10.5)

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015