IS61QDP2B251236A-333M3L | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61QDP2B251236A-333M3L | IS61QDP2B251236A-333M3L Inventory, Best Pricing

IS61QDP2B251236A-333M3L

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IS61QDP2B251236A-333M3L
LIXINC Part #	IS61QDP2B251236A-333M3L
Producent	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IS61QDP2B251236A-333M3L Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 27 - Oct 31 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IS61QDP2B251236A-333M3L Specyfikacje

Numer części:	IS61QDP2B251236A-333M3L
Marka:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	SRAM
technologia:	SRAM - Synchronous, QUADP
rozmiar pamięci:	18Mb (512K x 36)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	333 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	8.4 ns
napięcie zasilające:	1.71V ~ 1.89V
temperatura robocza:	0°C ~ 70°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	165-LBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	165-LFBGA (15x17)