EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR | Micron Technology EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR | EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR Inventory, Best Pricing

EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
LIXINC Part #	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Producent	Micron Technology
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 25 - Oct 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR Specyfikacje

Numer części:	EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Marka:	Micron Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Micron Technology
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Last Time Buy
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	DRAM
technologia:	SDRAM - Mobile LPDDR2
rozmiar pamięci:	1Gb (32M x 32)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	533 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	-
napięcie zasilające:	1.14V ~ 1.95V
temperatura robocza:	-40°C ~ 105°C (TC)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	134-VFBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	134-VFBGA (10x11.5)