GSID100A120T2C1 | SemiQ GSID100A120T2C1 | GSID100A120T2C1 Inventory, Best Pricing

GSID100A120T2C1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	GSID100A120T2C1
LIXINC Part #	GSID100A120T2C1
Producent	SemiQ
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 200A 640W
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	GSID100A120T2C1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

GSID100A120T2C1 Specyfikacje

Numer części:	GSID100A120T2C1
Marka:	SemiQ
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	SemiQ
seria:	Amp+™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	-
konfiguracja:	Three Phase Inverter
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	200 A
moc - maks:	640 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
prąd - odcięcie kolektora (max):	1 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	13.7 nF @ 25 V
wejście:	Three Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module