DF120R12W2H3B27BOMA1 | Rochester Electronics DF120R12W2H3B27BOMA1 | DF120R12W2H3B27BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF120R12W2H3B27BOMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DF120R12W2H3B27BOMA1
LIXINC Part #	DF120R12W2H3B27BOMA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	DF120R12W - IGBT MODULE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DF120R12W2H3B27BOMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DF120R12W2H3B27BOMA1 Specyfikacje

Numer części:	DF120R12W2H3B27BOMA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	-
konfiguracja:	Three Phase Inverter
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1.2 V
prąd - kolektor (ic) (max):	50 A
moc - maks:	180 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 40A
prąd - odcięcie kolektora (max):	1 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	2.35 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module