DF80R12W2H3FB11BPSA1 | IR (Infineon Technologies) DF80R12W2H3FB11BPSA1 | DF80R12W2H3FB11BPSA1 Inventory, Best Pricing

DF80R12W2H3FB11BPSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DF80R12W2H3FB11BPSA1
LIXINC Part #	DF80R12W2H3FB11BPSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DF80R12W2H3FB11BPSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DF80R12W2H3FB11BPSA1 Specyfikacje

Numer części:	DF80R12W2H3FB11BPSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	EconoPACK™2
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
konfiguracja:	Half Bridge
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	20 A
moc - maks:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.7V @ 15V, 20A
prąd - odcięcie kolektora (max):	1 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	2.35 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module