VS-ENQ030L120S | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-ENQ030L120S
LIXINC Part #	VS-ENQ030L120S
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-ENQ030L120S Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-ENQ030L120S Specyfikacje

Numer części:	VS-ENQ030L120S
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench
konfiguracja:	Three Level Inverter
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	61 A
moc - maks:	216 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 30A
prąd - odcięcie kolektora (max):	230 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	3.34 nF @ 30 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	EMIPAK-1B
pakiet urządzeń dostawcy:	EMIPAK-1B