SSM6N35AFU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6N35AFU,LF

SSM6N35AFU,LF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SSM6N35AFU,LF
LIXINC Part #	SSM6N35AFU,LF
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SSM6N35AFU,LF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SSM6N35AFU,LF Specyfikacje

Numer części:	SSM6N35AFU,LF
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Standard
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	250mA (Ta)
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	0.34nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	36pF @ 10V
moc - maks:	285mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pakiet urządzeń dostawcy:	US6