FDMD8900 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMD8900

FDMD8900

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDMD8900
LIXINC Part #	FDMD8900
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDMD8900 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDMD8900 Specyfikacje

Numer części:	FDMD8900
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Standard
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	19A, 17A
rds na (maks.) @ id, vgs:	4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	35nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2605pF @ 15V
moc - maks:	2.1W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	12-PowerWDFN
pakiet urządzeń dostawcy:	12-Power3.3x5