BZT55B3V3-GS18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZT55B3V3-GS18

BZT55B3V3-GS18

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BZT55B3V3-GS18
LIXINC Part #	BZT55B3V3-GS18
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - zenera - pojedyncze
Opis	DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD80
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BZT55B3V3-GS18 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BZT55B3V3-GS18 Specyfikacje

Numer części:	BZT55B3V3-GS18
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - zenera - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
napięcie - zenera (nom) (vz):	3.3 V
tolerancja:	±2%
moc - maks:	500 mW
impedancja (maks.) (zzt):	90 Ohms
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	2 µA @ 1 V
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.5 V @ 200 mA
temperatura robocza:	-65°C ~ 175°C
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOD-80 Variant
pakiet urządzeń dostawcy:	SOD-80 QuadroMELF