BZD17C4V7P-E3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD17C4V7P-E3-18

BZD17C4V7P-E3-18

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BZD17C4V7P-E3-18
LIXINC Part #	BZD17C4V7P-E3-18
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - zenera - pojedyncze
Opis	DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BZD17C4V7P-E3-18 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BZD17C4V7P-E3-18 Specyfikacje

Numer części:	BZD17C4V7P-E3-18
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - zenera - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
napięcie - zenera (nom) (vz):	4.7 V
tolerancja:	-
moc - maks:	800 mW
impedancja (maks.) (zzt):	-
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	10 µA @ 10 V
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.2 V @ 200 mA
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-219AB
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-219AB (SMF)