BFU630F,115 | NXP Semiconductors BFU630F,115 | BFU630F,115 Inventory, Best Pricing

BFU630F,115

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BFU630F,115
LIXINC Part #	BFU630F,115
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Opis	RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BFU630F,115 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BFU630F,115 Specyfikacje

Numer części:	BFU630F,115
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	NPN
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	5.5V
częstotliwość - przejście:	21GHz
współczynnik szumów (db typ @ f):	0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
osiągać:	13dB ~ 22.5dB
moc - maks:	200mW
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	90 @ 5mA, 2V
prąd - kolektor (ic) (max):	30mA
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-343F
pakiet urządzeń dostawcy:	4-DFP