MMBTH10M3T5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MMBTH10M3T5G

MMBTH10M3T5G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MMBTH10M3T5G
LIXINC Part #	MMBTH10M3T5G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Opis	RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MMBTH10M3T5G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MMBTH10M3T5G Specyfikacje

Numer części:	MMBTH10M3T5G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - rf
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	NPN
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	25V
częstotliwość - przejście:	650MHz
współczynnik szumów (db typ @ f):	-
osiągać:	-
moc - maks:	265mW
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 4mA, 10V
prąd - kolektor (ic) (max):	-
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-723
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-723