SE12DBHM3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SE12DBHM3/I

SE12DBHM3/I

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SE12DBHM3/I
LIXINC Part #	SE12DBHM3/I
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SE12DBHM3/I Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 21 - Oct 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SE12DBHM3/I Specyfikacje

Numer części:	SE12DBHM3/I
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	Automotive, AEC-Q101, eSMP®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	100 V
prąd - średni wyprostowany (io):	3.2A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.15 V @ 12 A
prędkość:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	3 µs
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	20 µA @ 100 V
pojemność @ vr, f:	90pF @ 4V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-263AC (SMPD)
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 175°C