1N6483HE3/97 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	1N6483HE3/97
LIXINC Part #	1N6483HE3/97
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	1N6483HE3/97 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

1N6483HE3/97 Specyfikacje

Numer części:	1N6483HE3/97
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	SUPERECTIFIER®
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	800 V
prąd - średni wyprostowany (io):	1A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 1 A
prędkość:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	10 µA @ 800 V
pojemność @ vr, f:	8pF @ 4V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DO-213AB, MELF (Glass)
pakiet urządzeń dostawcy:	DO-213AB
temperatura pracy - złącze:	-65°C ~ 175°C