VS-10ETF12S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF12S-M3

VS-10ETF12S-M3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	VS-10ETF12S-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF12S-M3
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	VS-10ETF12S-M3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

VS-10ETF12S-M3 Specyfikacje

Numer części:	VS-10ETF12S-M3
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	1200 V
prąd - średni wyprostowany (io):	10A
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1.33 V @ 10 A
prędkość:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	310 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	100 µA @ 1200 V
pojemność @ vr, f:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pakiet urządzeń dostawcy:	D2PAK
temperatura pracy - złącze:	-40°C ~ 150°C