1N4150W-HE3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4150W-HE3-08

1N4150W-HE3-08

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	1N4150W-HE3-08
LIXINC Part #	1N4150W-HE3-08
Producent	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › diody - prostowniki - pojedyncze
Opis	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	1N4150W-HE3-08 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 21 - Oct 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

1N4150W-HE3-08 Specyfikacje

Numer części:	1N4150W-HE3-08
Marka:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	diody - prostowniki - pojedyncze
Producent:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
rodzaj diody:	Standard
napięcie - prąd stały do tyłu (vr) (maks.):	50 V
prąd - średni wyprostowany (io):	200mA
napięcie - do przodu (vf) (max) @ if:	1 V @ 200 mA
prędkość:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	4 ns
prąd - wsteczny wyciek @ vr:	100 nA @ 50 V
pojemność @ vr, f:	2.5pF @ 0V, 1MHz
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOD-123
pakiet urządzeń dostawcy:	SOD-123
temperatura pracy - złącze:	-55°C ~ 150°C