RJP60F5DPK-01#T0 | Renesas Electronics America RJP60F5DPK-01#T0 | RJP60F5DPK-01#T0 Inventory, Best Pricing

RJP60F5DPK-01#T0

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RJP60F5DPK-01#T0
LIXINC Part #	RJP60F5DPK-01#T0
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 600V 80A 260.4W
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RJP60F5DPK-01#T0 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 11 - Oct 15 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RJP60F5DPK-01#T0 Specyfikacje

Numer części:	RJP60F5DPK-01#T0
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typu IGBT:	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	80 A
prąd - impuls kolektora (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.8V @ 15V, 40A
moc - maks:	260.4 W
przełączanie energii:	-
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	74 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	53ns/90ns
stan testowy:	400V, 30A, 5Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-3P-3, SC-65-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3P