HGT1S3N60A4DS9A | Rochester Electronics HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S3N60A4DS9A Inventory, Best Pricing

HGT1S3N60A4DS9A

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	HGT1S3N60A4DS9A
LIXINC Part #	HGT1S3N60A4DS9A
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	N-CHANNEL IGBT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	HGT1S3N60A4DS9A Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

HGT1S3N60A4DS9A Specyfikacje

Numer części:	HGT1S3N60A4DS9A
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	17 A
prąd - impuls kolektora (icm):	40 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 3A
moc - maks:	70 W
przełączanie energii:	37µJ (on), 25µJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	21 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	6ns/73ns
stan testowy:	390V, 3A, 50Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	29 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-263AB