NGTB50N60FLWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTB50N60FLWG

NGTB50N60FLWG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NGTB50N60FLWG
LIXINC Part #	NGTB50N60FLWG
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 600V 50A TO247
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NGTB50N60FLWG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NGTB50N60FLWG Specyfikacje

Numer części:	NGTB50N60FLWG
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	Trench Field Stop
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	100 A
prąd - impuls kolektora (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 50A
moc - maks:	223 W
przełączanie energii:	1.1mJ (on), 600µJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	310 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	116ns/292ns
stan testowy:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	85 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-247-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247