RDD022N50TL | ROHM Semiconductor RDD022N50TL | RDD022N50TL Inventory, Best Pricing

RDD022N50TL

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RDD022N50TL
LIXINC Part #	RDD022N50TL
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RDD022N50TL Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RDD022N50TL Specyfikacje

Numer części:	RDD022N50TL
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Not For New Designs
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	500 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.7V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6.7 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	168 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	20W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	CPT3
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63