STL3N10F7 | STMicroelectronics STL3N10F7 | STL3N10F7 Inventory, Best Pricing

STL3N10F7

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STL3N10F7
LIXINC Part #	STL3N10F7
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STL3N10F7 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STL3N10F7 Specyfikacje

Numer części:	STL3N10F7
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	DeepGATE™, STripFET™ VII
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	7.8 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	408 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.4W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerFlat™ (2x2)
opakowanie / etui:	6-PowerWDFN