DMN2013UFDE-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DMN2013UFDE-7
LIXINC Part #	DMN2013UFDE-7
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DMN2013UFDE-7 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DMN2013UFDE-7 Specyfikacje

Numer części:	DMN2013UFDE-7
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10.5A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	11mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	25.8 nC @ 8 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2453 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	660mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	U-DFN2020-6 (Type E)
opakowanie / etui:	6-PowerUDFN