PMXB360ENEAZ | Nexperia PMXB360ENEAZ | PMXB360ENEAZ Inventory, Best Pricing

PMXB360ENEAZ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PMXB360ENEAZ
LIXINC Part #	PMXB360ENEAZ
Producent	Nexperia
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PMXB360ENEAZ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PMXB360ENEAZ Specyfikacje

Numer części:	PMXB360ENEAZ
Marka:	Nexperia
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Nexperia
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.1A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	4.5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	130 pF @ 40 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DFN1010D-3
opakowanie / etui:	3-XDFN Exposed Pad