IPD60R380E6ATMA2 | Rochester Electronics IPD60R380E6ATMA2 | IPD60R380E6ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD60R380E6ATMA2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPD60R380E6ATMA2
LIXINC Part #	IPD60R380E6ATMA2
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	IPD60R380 - COOLMOS N-CHANNEL
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPD60R380E6ATMA2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPD60R380E6ATMA2 Specyfikacje

Numer części:	IPD60R380E6ATMA2
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	CoolMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10.6A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	380mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 300µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	700 pF @ 100 V
funkcja fet:	Super Junction
rozpraszanie mocy (maks.):	83W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO252-3
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63