FDFMA2P859T | Rochester Electronics FDFMA2P859T | FDFMA2P859T Inventory, Best Pricing

FDFMA2P859T

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDFMA2P859T
LIXINC Part #	FDFMA2P859T
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDFMA2P859T Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDFMA2P859T Specyfikacje

Numer części:	FDFMA2P859T
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	435 pF @ 10 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Isolated)
rozpraszanie mocy (maks.):	1.4W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	MicroFET 2x2 Thin
opakowanie / etui:	6-UDFN Exposed Pad