TK35N65W,S1F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK35N65W,S1F
LIXINC Part #	TK35N65W,S1F
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK35N65W,S1F Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK35N65W,S1F Specyfikacje

Numer części:	TK35N65W,S1F
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	DTMOSIV
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	35A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	80mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 2.1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4100 pF @ 300 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	270W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247
opakowanie / etui:	TO-247-3