DMG8N65SCT | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DMG8N65SCT
LIXINC Part #	DMG8N65SCT
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DMG8N65SCT Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DMG8N65SCT Specyfikacje

Numer części:	DMG8N65SCT
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	8A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.3Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1217 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	125W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3