BSC0500NSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC0500NSIATMA1 | BSC0500NSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC0500NSIATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSC0500NSIATMA1
LIXINC Part #	BSC0500NSIATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSC0500NSIATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSC0500NSIATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSC0500NSIATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	35A (Ta), 100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	52 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3300 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TDSON-8-6
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN

SIHP17N80AEF-GE3	E SERIES POWER MOSFET WITH FAST	922 Więcej na zamówienie
IPA60R099C6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP	21386 Więcej na zamówienie
IRF7811AVTRPBF	SMALL SIGNAL FIELDCHANNEL, SILIC	28467 Więcej na zamówienie
BUK6Y10-30PX	MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56	1686 Więcej na zamówienie
SI1403BDL-T1-E3	MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6	5344 Więcej na zamówienie
APT14M100S	MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK	823 Więcej na zamówienie
IPB180N08S402ATMA1	MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7	8893 Więcej na zamówienie
SQJQ466E-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8	3186 Więcej na zamówienie
94-3316	MOSFET N-CH 55V 2A SOT223	906 Więcej na zamówienie
AOB254L	MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263	940 Więcej na zamówienie
PMN30XPX	MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP	3874 Więcej na zamówienie
SIHF12N50C-E3	MOSFET N-CH 500V 12A TO220	1911 Więcej na zamówienie
FDS8817NZ	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC	1809 Więcej na zamówienie