BUZ73AE3046XK | Rochester Electronics BUZ73AE3046XK | BUZ73AE3046XK Inventory, Best Pricing

BUZ73AE3046XK

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BUZ73AE3046XK
LIXINC Part #	BUZ73AE3046XK
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BUZ73AE3046XK Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 21 - Oct 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BUZ73AE3046XK Specyfikacje

Numer części:	BUZ73AE3046XK
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	SIPMOS®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	530 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	40W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3