NTD3808N-1G | Rochester Electronics NTD3808N-1G | NTD3808N-1G Inventory, Best Pricing

NTD3808N-1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTD3808N-1G
LIXINC Part #	NTD3808N-1G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 16V 12A/76A IPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTD3808N-1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTD3808N-1G Specyfikacje

Numer części:	NTD3808N-1G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	16 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	12A (Ta), 76A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	21 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.66 pF @ 12 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.3W (Ta), 52W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I-PAK
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA