PSMN0R9-30YLDX | Nexperia PSMN0R9-30YLDX | PSMN0R9-30YLDX Inventory, Best Pricing

PSMN0R9-30YLDX

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PSMN0R9-30YLDX
LIXINC Part #	PSMN0R9-30YLDX
Producent	Nexperia
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PSMN0R9-30YLDX Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PSMN0R9-30YLDX Specyfikacje

Numer części:	PSMN0R9-30YLDX
Marka:	Nexperia
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Nexperia
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	300A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	0.87mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	109 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	7668 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	291W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	LFPAK56, Power-SO8
opakowanie / etui:	SOT-1023, 4-LFPAK