IRFIB5N65APBF | Vishay / Siliconix IRFIB5N65APBF | IRFIB5N65APBF Inventory, Best Pricing

IRFIB5N65APBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFIB5N65APBF
LIXINC Part #	IRFIB5N65APBF
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFIB5N65APBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFIB5N65APBF Specyfikacje

Numer części:	IRFIB5N65APBF
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.1A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	930mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	48 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1417 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	60W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab