BUK6E4R0-75C,127 | Rochester Electronics BUK6E4R0-75C,127 | BUK6E4R0-75C,127 Inventory, Best Pricing

BUK6E4R0-75C,127

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BUK6E4R0-75C,127
LIXINC Part #	BUK6E4R0-75C,127
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BUK6E4R0-75C,127 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BUK6E4R0-75C,127 Specyfikacje

Numer części:	BUK6E4R0-75C,127
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	75 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	120A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	234 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	15.45 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	306W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I2PAK
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA