TPN4R203NC,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TPN4R203NC,L1Q
LIXINC Part #	TPN4R203NC,L1Q
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TPN4R203NC,L1Q Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TPN4R203NC,L1Q Specyfikacje

Numer części:	TPN4R203NC,L1Q
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVIII
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	23A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 200µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1370 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	700mW (Ta), 22W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN