IPI80N06S3L-08 | Rochester Electronics IPI80N06S3L-08 | IPI80N06S3L-08 Inventory, Best Pricing

IPI80N06S3L-08

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPI80N06S3L-08
LIXINC Part #	IPI80N06S3L-08
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPI80N06S3L-08 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPI80N06S3L-08 Specyfikacje

Numer części:	IPI80N06S3L-08
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	55 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	80A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	7.9mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 55µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	134 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	6.475 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	105W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO262-3
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA