IPB120N03S4L03ATMA1 | Rochester Electronics IPB120N03S4L03ATMA1 | IPB120N03S4L03ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB120N03S4L03ATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPB120N03S4L03ATMA1
LIXINC Part #	IPB120N03S4L03ATMA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPB120N03S4L03ATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPB120N03S4L03ATMA1 Specyfikacje

Numer części:	IPB120N03S4L03ATMA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	120A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 40µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	72 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5.3 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	79W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D²PAK (TO-263AB)
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB