IRFH5007TR2PBF | Rochester Electronics IRFH5007TR2PBF | IRFH5007TR2PBF Inventory, Best Pricing

IRFH5007TR2PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFH5007TR2PBF
LIXINC Part #	IRFH5007TR2PBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFH5007TR2PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFH5007TR2PBF Specyfikacje

Numer części:	IRFH5007TR2PBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	75 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	17A (Ta), 100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 150µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	98 nC @ 10 V
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4.29 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN