IRF40R207 | IR (Infineon Technologies) IRF40R207 | IRF40R207 Inventory, Best Pricing

IRF40R207

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF40R207
LIXINC Part #	IRF40R207
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF40R207 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF40R207 Specyfikacje

Numer części:	IRF40R207
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®, StrongIRFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	56A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.1mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 50µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	68 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2110 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	83W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252, (D-Pak)
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63