TPH11006NL,LQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPH11006NL,LQ

TPH11006NL,LQ

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TPH11006NL,LQ
LIXINC Part #	TPH11006NL,LQ
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TPH11006NL,LQ Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TPH11006NL,LQ Specyfikacje

Numer części:	TPH11006NL,LQ
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVIII-H
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	17A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	11.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 200µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2000 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.6W (Ta), 34W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOP Advance (5x5)
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN