IPD50R1K4CEBTMA1 | Rochester Electronics IPD50R1K4CEBTMA1 | IPD50R1K4CEBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD50R1K4CEBTMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPD50R1K4CEBTMA1
LIXINC Part #	IPD50R1K4CEBTMA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPD50R1K4CEBTMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 15 - Sep 19 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPD50R1K4CEBTMA1 Specyfikacje

Numer części:	IPD50R1K4CEBTMA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	CoolMOS™ CE
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	500 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.1A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	13V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 900mA, 13V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 70µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	1 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	178 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	25W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO252-3
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63