IXFQ50N60X | Wickmann / Littelfuse IXFQ50N60X | IXFQ50N60X Inventory, Best Pricing

IXFQ50N60X

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IXFQ50N60X
LIXINC Part #	IXFQ50N60X
Producent	Wickmann / Littelfuse
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IXFQ50N60X Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IXFQ50N60X Specyfikacje

Numer części:	IXFQ50N60X
Marka:	Wickmann / Littelfuse
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Wickmann / Littelfuse
seria:	HiPerFET™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	50A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	73mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 4mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	116 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4660 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	660W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3P
opakowanie / etui:	TO-3P-3, SC-65-3