BSZ086P03NS3EGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ086P03NS3EGATMA1 | BSZ086P03NS3EGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ086P03NS3EGATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSZ086P03NS3EGATMA1
LIXINC Part #	BSZ086P03NS3EGATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSZ086P03NS3EGATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSZ086P03NS3EGATMA1 Specyfikacje

Numer części:	BSZ086P03NS3EGATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	13.5A (Ta), 40A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.1V @ 105µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	57.5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±25V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4785 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TSDSON-8
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN