IPT004N03LATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPT004N03LATMA1 | IPT004N03LATMA1 Inventory, Best Pricing

IPT004N03LATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPT004N03LATMA1
LIXINC Part #	IPT004N03LATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPT004N03LATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPT004N03LATMA1 Specyfikacje

Numer części:	IPT004N03LATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	300A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	0.4mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	163 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	24000 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.8W (Ta), 300W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-HSOF-8-1
opakowanie / etui:	8-PowerSFN