IPD80R1K0CEBTMA1 | Rochester Electronics IPD80R1K0CEBTMA1 | IPD80R1K0CEBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD80R1K0CEBTMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IPD80R1K0CEBTMA1
LIXINC Part #	IPD80R1K0CEBTMA1
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IPD80R1K0CEBTMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IPD80R1K0CEBTMA1 Specyfikacje

Numer części:	IPD80R1K0CEBTMA1
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	CoolMOS™
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	800 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.7A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	785 pF @ 100 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	83W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252-3
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63