SIS184DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIS184DN-T1-GE3 | SIS184DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIS184DN-T1-GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SIS184DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SIS184DN-T1-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SIS184DN-T1-GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SIS184DN-T1-GE3 Specyfikacje

Numer części:	SIS184DN-T1-GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET® Gen IV
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	7.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	32 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1490 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerPAK® 1212-8
opakowanie / etui:	PowerPAK® 1212-8