STN3P6F6 | STMicroelectronics STN3P6F6 | STN3P6F6 Inventory, Best Pricing

STN3P6F6

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STN3P6F6
LIXINC Part #	STN3P6F6
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V SOT223
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STN3P6F6 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STN3P6F6 Specyfikacje

Numer części:	STN3P6F6
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	DeepGATE™, STripFET™ VI
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3A (Tj)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	160mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6.4 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	340 pF @ 48 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.6W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-223
opakowanie / etui:	TO-261-4, TO-261AA